[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201410058168.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104867860B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张庆勇;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；
2）刻蚀所述半导体衬底以于所述半导体衬底内部形成沟槽；
3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；
4）于所述沟槽底部形成保护层；
5）将所述保护层以上的热氧化物层减薄至第二厚度；
6）去除所述保护层；
7）于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述阻挡层为氮化硅硬掩膜层。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述沟槽截面的形状为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述沟槽截面的最大宽度为不大于1000埃，所述沟槽的深宽比为不小于4:1。
5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：步骤2）与步骤3）之间还包括步骤：去除所述刻蚀窗口两侧的阻挡层的一部分。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述第一厚度为不小于300埃。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：步骤3）包括以下步骤：
3-1）进行第一次热氧化，于所述沟槽底部及侧壁形成热氧化物薄膜，其中，所述沟槽侧壁的热氧化物薄膜的厚度为50～150埃；
3-2）去除所述热氧化物薄膜；
3-3）进行第二次热氧化，于所述沟槽底部及侧壁形成热氧化物层，以使所述沟槽顶部的转角圆角化，其中，所述沟槽侧壁的热氧化物层的厚度为不小于300埃。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述保护层的厚度为200～500埃。
9.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：所述保护层为抗反射材料层。
10.根据权利要求9所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：
步骤4）包括以下步骤：
4-1）采用旋涂工艺于所述沟槽内填充抗反射材料；
4-2）采用干法刻蚀工艺或灰化-湿法清洗工艺去除所述沟槽内的部分抗反射材料，保留所述沟槽底部的抗反射材料形成抗反射材料层；
步骤6）采用干法刻蚀工艺或灰化-湿法清洗工艺去除所述抗反射材料层。
11.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：步骤5）采用湿法腐蚀工艺减薄所述保护层以上的热氧化物层，减薄至第二厚度为50～150埃。
12.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于：步骤7）采用高密度等离子体化学气相淀积工艺于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。
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