[发明专利]一种SiO粉末的制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201410056450.2 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103896283A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈卫;方祺 | 申请（专利权）人： | 上海璞泰来新材料技术有限公司;江西紫宸科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiO粉末的制造方法和制造装置，包括如下步骤：将硅粉末和二氧化硅粉末混合后加热至升华出气态的SiO；气态的SiO在惰性气体的保护下，在析出基体的外表面上析出；降温后，析出的SiO剥离得到SiO粉末；析出基体在所述气态的SiO析出过程中是旋转的。本发明的制造装置包括气体流动方向控制组件，原料室与析出室相对水平设置，析出室内设置回转式析出基体。该制造装置使得析出比表面积更大，热传导效率更高，分区温度控制更加精确，析出产能及品质更高；同时，对于升华气体进行惰性气流撞击及导向控制，有助于提高析出颗粒粒径分布的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sio 粉末 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种SiO粉末的制造方法，包括如下步骤：将硅粉末和二氧化硅粉末混合后加热至升华出气态的SiO；所述气态的SiO在惰性气体的保护下，在析出基体的外表面上析出；降温后，将在所述析出基体的外表面上析出的SiO剥离得到所述的SiO粉末；其特征在于，所述析出基体在所述气态的SiO析出过程中是旋转的。
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