[发明专利]用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备

摘要

本发明提供了用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备。具体而言，提供了一种在等离子体蚀刻系统中执行离子铣削的系统和方法，该等离子体蚀刻系统包含等离子体蚀刻室、耦接至等离子体蚀刻室的多个处理气体源、射频偏置源和控制器。等离子体蚀刻室包含衬底支持件。衬底支持件是非枢转且非旋转的衬底支持件。衬底支持件能够支持在衬底支持件的顶面上处理的衬底，而不使用机械夹持器件。等离子体蚀刻室还包含设置成与衬底支持件的顶面相对的上电极。射频偏置源耦接至衬底支持件。控制器耦接至等离子体蚀刻室、多个处理气体源和射频偏置源。控制器包含存储在计算机可读介质上的用于执行等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的逻辑。

主权项

一种等离子体蚀刻系统，其包括：等离子体蚀刻室，其包含：衬底支持件，所述衬底支持件是非枢转且非旋转的衬底支持件，所述衬底支持件能够将待处理的衬底支持在所述衬底支持件的顶面上，而不使用机械夹持器件；以及上电极，其被设置成与所述衬底支持件的所述顶面相对；多个处理气体源，其耦接至所述等离子体蚀刻室；射频偏置源，其耦接至所述衬底支持件；以及控制器，其耦接至所述等离子体蚀刻室、所述多个处理气体源和所述射频偏置源，所述控制器包含存储在计算机可读介质上的用于执行所述等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的逻辑，其中，存储在计算机可读介质上的用于执行所述等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的所述逻辑包含：存储在计算机可读介质上的用于向所述等离子体蚀刻室注入多个离子铣削处理气体的所选择的组合的逻辑；存储在计算机可读介质上的用于产生具有选择的离子角分布的离子铣削等离子体的逻辑，其中所述选择的离子角分布通过操作所述等离子体蚀刻室内的压强和/或所述多个离子铣削处理气体的所述选择的组合的不同质量的比率确定；以及存储在计算机可读介质上的用于使在所述衬底中形成的特征的至少一个侧壁上的多个沉积物中的至少一个挥发的逻辑。