[发明专利]用于等离子体蚀刻室中的离子铣削的系统、方法和设备

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻系统，其包括：

等离子体蚀刻室，其包含：

衬底支持件，所述衬底支持件是非枢转且非旋转的衬底支持件，所述衬底支持件能够将待处理的衬底支持在所述衬底支持件的顶面上，而不使用机械夹持器件；以及

上电极，其被设置成与所述衬底支持件的所述顶面相对；

多个处理气体源，其耦接至所述等离子体蚀刻室；

射频偏置源，其耦接至所述衬底支持件；以及

控制器，其耦接至所述等离子体蚀刻室、所述多个处理气体源和所述射频偏置源，所述控制器包含存储在计算机可读介质上的用于执行所述等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的逻辑。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻系统，其中，所述多个处理气体源包含混合器，且进一步由氦源、氖源、氩源、氙源和氪源中的至少2个构成。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻系统，其中，存储在计算机可读介质上的用于执行所述等离子体蚀刻室中的离子铣削处理的所述逻辑包含：

存储在计算机可读介质上的用于向所述等离子体蚀刻室注入多个离子铣削处理气体的所选择的组合的逻辑；

存储在计算机可读介质上的用于产生具有选择的离子角分布的离子铣削等离子体的逻辑；以及

存储在计算机可读介质上的用于使在所述衬底中形成的特征的至少一个侧壁上的多个沉积物中的至少一个挥发的逻辑。

4.如权利要求3所述的等离子体蚀刻系统，其中，存储在计算机可读介质上的用于向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合的所述逻辑包含：存储在计算机可读介质上的用于确定在所述衬底中形成的所述特征的所述至少一个侧壁上的所述多个沉积物中的至少一个的位置的逻辑。

5.如权利要求3所述的等离子体蚀刻系统，其中，存储在计算机可读介质上的用于向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合的所述逻辑包含：存储在计算机可读介质上的用于选择离子铣削操作压强的逻辑。

6.如权利要求5所述的等离子体蚀刻系统，其中，所述离子铣削操作压强在约60毫托与约300毫托之间。

7.如权利要求4所述的等离子体蚀刻系统，其中，存储在计算机可读介质上的用于向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合的所述逻辑包含：存储在所述计算机可读介质上的用于选择所述多个离子铣削处理气体的质量的比率的逻辑。

8.如权利要求3所述的等离子体蚀刻系统，其中，所述离子角分布包含介于相对于所述衬底的表面的垂线的约0度至相对于所述衬底的所述表面的垂线的约50度之间的范围。

9.如权利要求1所述的等离子体蚀刻系统，其中，所述射频偏置源具有介于约200kHz与约2MHz之间的输出频率。

10.一种离子铣削的方法，其包括：

将衬底置于等离子体蚀刻室；

向所述衬底实施等离子体蚀刻处理；

结束所述等离子体蚀刻处理；

向所述等离子体蚀刻室注入多个离子铣削处理气体的所选择的组合；

产生具有所选择的离子角分布的离子铣削等离子体；以及

使在所述衬底中形成的特征的至少一个侧壁上的多个沉积物中的至少一个挥发。

11.如权利要求10所述的方法，其中，向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合包含：确定在所述衬底中形成的所述特征的所述至少一个侧壁上的所述多个沉积物中的至少一个的位置。

12.如权利要求11所述的方法，其中，向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合包含：选择离子铣削操作压强。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述离子铣削操作压强在约60毫托与约300毫托之间。

14.如权利要求11所述的方法，其中，向所述等离子体蚀刻室注入所述多个离子铣削处理气体的所选择的组合包含：选择所述多个离子铣削处理气体的质量的比率。

15.如权利要求10所述的方法，其中，所述离子角分布包含介于相对于所述衬底的表面的垂线的约0度至相对于所述衬底的表面的垂线的约50度之间的范围。