[发明专利]一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法

摘要

一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法，采用激光局域热处理预置浆料的电池表面，一步完成掺杂和烧结两个技术环节，同时获得选择性发射区和栅线电极种子层。后续采用电镀和热退火技术完成制备流程。本发明的制备方法具有无铅环保、技术流程简单、无需特种设备、产品性能优异等优点。

主权项

一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：（1）采用丝网印刷、气动印刷或者喷墨印刷在晶硅太阳电池的硅发射极表面预置浆料；（2）采用激光局域热处理所述步骤（1）制得的置有浆料的硅发射极，同时获得晶硅太阳电池的重掺杂发射区和栅线电极种子层；所述的激光为连续激光或者脉冲激光，所述的激光波长为355nm或532nm或者1064nm，扫描速度为0.1～100m/s，所述的脉冲激光频率为0.1～10MHz；（3）采用电镀工艺增厚所述步骤（2）得到的晶硅太阳电池的栅线电极种子层，所述的电镀的电流密度为0.1～20A/dm²，所述的电镀的工艺时间为0.1～60min；栅线电极种子层和栅线电极的电镀增厚部分共同组成栅线电极；（4）对硅发射极和步骤（3）得到的栅线电极进行热退火，所述的热退火的峰值温度为100～900℃，所述的热退火时间为0.1～60min。