[发明专利]一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法有效
| 申请号: | 201410051094.5 | 申请日: | 2014-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN103855252A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 李涛;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掺杂 发射 电极 制备 方法 | ||
1.一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的制备方法包括以下步骤:
(1)采用丝网印刷、气动印刷或者喷墨印刷在晶硅太阳电池的硅发射极表面预置浆料;
(2)采用激光局域热处理所述步骤(1)制得的置有浆料的硅发射极,同时获得晶硅太阳电池的重掺杂发射区和栅线电极种子层;所述的激光为连续激光或者脉冲激光,所述的激光波长为355nm或532nm或者1064nm,扫描速度为0.1~100m/s,所述的脉冲激光频率为0.1~10MHz;
(3)采用电镀工艺增厚所述步骤(2)得到的晶硅太阳电池的栅线电极种子层,所述的电镀的电流密度为0.1~20A/dm2,所述的电镀的工艺时间为0.1~60min;栅线电极种子层和栅线电极的电镀增厚部分共同组成栅线电极;
(4)对硅发射极和步骤(3)得到的栅线电极进行热退火,所述的热退火的峰值温度为100~900℃,所述的热退火时间为0.1~60min。
2.根据权利要求1所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的步骤(1)中的浆料由金属颗粒、掺杂剂和有机载体组成。
3.根据权利要求2所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的浆料中金属颗粒含量为60~90wt%,掺杂剂含量为0.1~20wt%,有机载体含量为0.1~30wt%。
4.根据权利要求2或3所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的金属颗粒为银粉、镍粉、铜粉中的一种或者多种。
5.根据权利要求2或3所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的掺杂剂为磷酸、磷酸三丁酯、磷酸三辛酯、磷酸二辛脂、红磷、正磷酸银、焦磷酸银、偏磷酸银、磷酸镍、磷酸铜中的一种或者多种。
6.根据权利要求2或3所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的有机载体由有机溶剂和粘结剂、触变剂、流平剂、表面活性剂、分散剂、粘度调节剂中的一种或者多种组成的混合物组成。
7.按照权利要求6所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的有机载体中有机溶剂含量为0.1~30wt%,粘结剂含量为0.1~20wt%,触变剂含量为0.1~20wt%,流平剂含量为0.1~20wt%,表面活性剂含量为0.1~20wt%,分散剂含量为0.1~20wt%,粘度调节剂含量为0.1~20wt%。
8.根据权利要求7所述的重掺杂发射区和栅线电极的制备方法,其特征在于,所述的有机溶剂为卡必醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇苯醚、乙二醉单丁醚醋酸酯、松节油、松油醇中的一种或者多种;所述的粘结剂为乙基纤维素、邻苯二甲酸二丁酯、丙烯酸树脂、顺丁烯二酸二丁酯、硝化纤维素中的一种或者多种;所述的触变剂为邻苯二甲酸二丁酯、胶体二氧化硅、聚酰胺蜡、气相二氧化硅中一种或者多种;所述的流平剂为有机硅油、聚丙烯酸、二甲苯、三乙醇胺、氢化蓖麻油、聚丙烯酸乙酯中的一种或者多种;所述的表面活性剂为聚山梨酯、卵磷脂、三乙醇胺中的一种或者多种;所述的分散剂为十二烷基硫酸钠、十六烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基吡啶、聚乙烯吡咯烷酮、丙三醇中的一种或者多种;所述的粘度调节剂为松油醇、卡必醇、酒精中的一种或者多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





