[发明专利]一种提高发光器件芯片散热效率的方法

摘要

本发明提出了一种提高发光器件芯片散热效率的方法，包括如下步骤：生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极；利用腐蚀液腐蚀预置转换层；生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用；外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极；通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层和银镜，通过电镀方式制备铜衬底。本发明的反射衬底能够提高散热性能；同时生长衬底可以重复利用，生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。

主权项

一种提高发光器件芯片散热效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长形成预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；b）经步骤a）所得外延片进行蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制作P电极；c）经步骤b）所得外延片利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层；d）经步骤c）所得所述生长衬底经过表面处理步骤之后，进行再利用；e）经步骤c）所得所述外延层N区经过表面处理步骤之后，进行蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制作N电极；f）将步骤e）所得外延片通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备介质层和银镜，通过电镀方式制备铜衬底。