[发明专利]一种无砷化制造发光器件芯片的方法无效
| 申请号： | 201410049588.X | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811616A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 廉鹏;杜晓东;李春伟 | 申请（专利权）人： | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种无砷化制造发光器件芯片的方法，包括如下步骤：生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；利用腐蚀液腐蚀预置转换层，通过机械牵引的方式整体分离外延层N区、有源区和外延层P区；将整体分离后获得的外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合功能衬底；经过光刻、蒸镀和剥离，或经过蒸镀、光刻和刻蚀分别在外延层N区和外延层P区形成N面电极和P面电极。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本，同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无砷化 制造 发光 器件 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；2）利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层，同时通过机械牵引的方式整体分离所述外延层N区、所述有源区和所述外延层P区；3）将整体分离后获得的所述外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合功能衬底；4）经过光刻、蒸镀和剥离三个操作，或者经过蒸镀、光刻和刻蚀三个操作分别在所述外延层N区和所述外延层P区形成N面电极和P面电极。
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