[发明专利]一种无砷化制造发光器件芯片的方法

权利要求书

1.一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；

2）利用腐蚀液腐蚀所述预置转换层，同时通过机械牵引的方式整体分离所述外延层N区、所述有源区和所述外延层P区；

3）将整体分离后获得的所述外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合功能衬底；

4）经过光刻、蒸镀和剥离三个操作，或者经过蒸镀、光刻和刻蚀三个操作分别在所述外延层N区和所述外延层P区形成N面电极和P面电极。

2.根据权利要求1所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述生长衬底包括GaAs；所述预置转换层包括AlAs。

3.根据权利要求2所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。

4.根据权利要求1所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述生长衬底通过预置转换层转换为所述功能衬底。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述功能衬底与所述第二键合介质的结合操作在18℃～110℃的温度范围内、450kPa～1500kPa的压强范围内执行。

6.根据权利要求1所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，步骤1）之后执行步骤A），所述步骤A）具体为所述外延层P区表面通过粘附的方式形成粘合层，所述粘合层附接支撑衬底，或者所述外延层P区通过第一键合介质结合所述支撑衬底。

7.根据权利要求6所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述支撑衬底和所述功能衬底具体为蓝宝石衬底或石英衬底。

8.根据权利要求6所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，步骤3）之后执行步骤C），所述步骤C）具体为通过有机溶剂溶解法消除所述粘合层或所述第一键合介质，同时移除所述支撑衬底。

9.根据权利要求8所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述步骤C）在50℃～100℃的温度范围内执行。

10.根据权利要求6所述的一种无砷化制造发光器件芯片的方法，其特征在于，所述第一键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质；所述第一键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮；所述第二键合介质具体为SiO₂、ITO或Si₃N₄介质。