[发明专利]发光整流芯片

摘要

一种发光整流芯片，包括：衬底；直流电流输出端正、负极；第一至第N对交流电流的输入端，N≥1；发光薄膜，包括依次形成在衬底上的第一类型导电层、发光层、第二类型导电层；透明导电层；透明绝缘层。对应于每一对输入的交流电流，发光薄膜被分割成互相隔离的4组串联单元芯片组；对应于第N对交流电流，串联单元芯片组为串联单元芯片组(4N‑3)、串联单元芯片组(4N‑2)、串联单元芯片组(4N‑1)、串联单元芯片组4N；对应于N对输入的交流电流，共有4x N个串联单元芯片组。直流电流输出端正、负极、第一至第N对交流电流输入端、4xN个串联单元芯片组互相电连接，使得输入的N个交流电流分别经过整流，叠加，输出一个直流总电流，提高芯片发光面积利用率，降低频闪，提高效率。

主权项

1.一种发光整流芯片，包括：(1) 衬底；(2) 直流电流输出端负极和正极；(3) 第一至第N 对交流电流输入端，第N对交流电流从所述第N 对交流电流输入端输入，其中，N ≥1 的整数；所述第N 对交流电流输入端包括，交流电流输入端(2N‑1)，交流电流输入端2N ；(4) 发光薄膜，包括依次形成在所述衬底上的第一类型导电层、发光层、第二类型导电层；对应于每一对所述交流电流，发光薄膜被分割成互相隔离的4 组串联单元芯片组；对应于第N 对交流电流，4 组串联单元芯片组为：串联单元芯片组(4N‑3)、串联单元芯片组(4N‑2)、串联单元芯片组(4N‑1)、串联单元芯片组4N ；对应于N 对所述交流电流，共有4XN 组串联单元芯片组；所述串联单元芯片组(4N‑3) 包括互相串联连接的第一至第PN 单元芯片，所述串联单元芯片组(4N‑2) 包括互相串联连接的第一至第QN 单元芯片，所述串联单元芯片组(4N‑1) 包括互相串联连接的第一至第RN 单元芯片，所述串联单元芯片组4N 包括互相串联连接的第一至第SN 单元芯片，其中，P，Q，R，S都是≥1 的整数；(5) 透明导电层，所述透明导电层形成在所述第二类型导电层上；在所述透明导电层、所述第二类型导电层、所述发光层的预定位置处形成第一窗口，使得部分所述第一类型导电层在所述第一窗口中暴露；(6) 透明绝缘层，所述透明绝缘层覆盖所述透明导电层、覆盖所述4XN 组串联单元芯片组中的每个单元芯片的侧面、覆盖所述第一窗口的侧面；所述透明绝缘层在所述第一窗口的上方形成窗口，使得所述第一窗口中的部分或全部所述第一类型导电层暴露；在所述透明绝缘层的预定位置处开有第二窗口，使得部分所述透明导电层暴露；其中，所述串联单元芯片组(4N‑3) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述直流电流输出端负极电连接，所述第PN 单元芯片的第一类型导电层与所述交流电流输入端(2N‑1)电连接；所述串联单元芯片组(4N‑2) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述直流电流输出端负极电连接，所述第QN 单元芯片的第一类型导电层与所述交流电流输入端2N 电连接；所述串联单元芯片组(4N‑1) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述交流电流输入端(2N‑1) 电连接，所述第RN 单元芯片的第一类型导电层与所述直流电流输出端正极电连接；所述串联单元芯片组4N 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述交流电流输入端2N电连接，所述第SN 单元芯片的第一类型导电层与所述直流电流输出端正极电连接。