[发明专利]发光整流芯片有效

专利信息
申请号: 201410047205.5 申请日: 2014-01-29
公开(公告)号: CN103779374B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 彭晖 申请(专利权)人: 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L27/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528226 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 整流 芯片
【权利要求书】:

1.一种发光整流芯片,包括:(1) 衬底;(2) 直流电流输出端负极和正极;(3) 第一至第N 对交流电流输入端,第N对交流电流从所述第N 对交流电流输入端输入,其中,N ≥1的整数;所述第N 对交流电流输入端包括,交流电流输入端(2N-1),交流电流输入端2N ;(4) 发光薄膜,包括依次形成在所述衬底上的第一类型导电层、发光层、第二类型导电层;对应于每一对所述交流电流,发光薄膜被分割成互相隔离的4 组串联单元芯片组;对应于第N 对交流电流,4 组串联单元芯片组为:串联单元芯片组(4N-3)、串联单元芯片组(4N-2)、串联单元芯片组(4N-1)、串联单元芯片组4N ;对应于N 对所述交流电流,共有4XN 组串联单元芯片组;所述串联单元芯片组(4N-3) 包括互相串联连接的第一至第PN 单元芯片,所述串联单元芯片组(4N-2) 包括互相串联连接的第一至第QN 单元芯片,所述串联单元芯片组(4N-1) 包括互相串联连接的第一至第RN 单元芯片,所述串联单元芯片组4N 包括互相串联连接的第一至第SN 单元芯片,其中,P,Q,R,S都是≥1 的整数;(5) 透明导电层,所述透明导电层形成在所述第二类型导电层上;在所述透明导电层、所述第二类型导电层、所述发光层的预定位置处形成第一窗口,使得部分所述第一类型导电层在所述第一窗口中暴露;(6) 透明绝缘层,所述透明绝缘层覆盖所述透明导电层、覆盖所述4XN 组串联单元芯片组中的每个单元芯片的侧面、覆盖所述第一窗口的侧面;所述透明绝缘层在所述第一窗口的上方形成窗口,使得所述第一窗口中的部分或全部所述第一类型导电层暴露;在所述透明绝缘层的预定位置处开有第二窗口,使得部分所述透明导电层暴露;其中,所述串联单元芯片组(4N-3) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述直流电流输出端负极电连接,所述第PN 单元芯片的第一类型导电层与所述交流电流输入端(2N-1)电连接;所述串联单元芯片组(4N-2) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述直流电流输出端负极电连接,所述第QN 单元芯片的第一类型导电层与所述交流电流输入端2N 电连接;所述串联单元芯片组(4N-1) 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述交流电流输入端(2N-1) 电连接,所述第RN 单元芯片的第一类型导电层与所述直流电流输出端正极电连接;所述串联单元芯片组4N 的第一单元芯片的所述透明导电层与所述交流电流输入端2N电连接,所述第SN 单元芯片的第一类型导电层与所述直流电流输出端正极电连接。

2.根据权利要求1 的发光整流芯片,其特征在于,对于同一组串联单元芯片组:所述串联单元芯片组(4N-3)、串联单元芯片组(4N-2)、串联单元芯片组(4N-1)、串联单元芯片组4N中的单元芯片的数目相同,即,P=Q=R=S。

3.根据权利要求1 的发光整流芯片,其特征在于,对于不同组的串联单元芯片组:所述不同组的串联单元芯片组(4N-3) 中的单元芯片的数目相同:P1 =P2…=PN ;所述不同组的串联单元芯片组(4N-2) 中的单元芯片的数目相同:Q1 =Q2…=QN ;所述不同组的串联单元芯片组(4N-1) 中的单元芯片的数目相同:R1 =R2…=RN ;所述不同组的串联单元芯片组4N 中的单元芯片的数目相同:S1 =S2…=SN。

4.根据权利要求1 的发光整流芯片,其特征在于,所述直流电流输出端负极、所述直流电流输出端正极、所述交流电流输入端(2N-1)、所述交流电流输入端2N 全部设置在所述衬底上。

5.根据权利要求4 的发光整流芯片,其特征在于,在所述直流电流输出端负极与所述衬底之间、所述直流电流输出端正极与所述衬底之间、所述交流电流输入端(2N-1) 与所述衬底之间、所述交流电流输入端2N 与所述衬底之间,分别设置所述透明绝缘层。

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