[发明专利]基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺

摘要

一种基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺，包括提供硅衬底，其创新在于：所述提供硅衬底按如下工艺进行：A.采用CVD方式在衬底层上表面淀积硅薄膜；B.采用机械损伤方式、激光损伤方式或离子注入损伤方式对衬底层下表面进行处理，形成背面损伤层；C.采用CVD方式在背面损伤层表面淀积多晶硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的有益技术效果是：通过工艺手段提高非本征吸杂层的吸杂能力，保证外延层的清洁度始终维持在较好的状态，降低成品CCD的暗电流，提高器件品质。

主权项

一种基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺，包括：1）提供硅衬底，2）形成栅介质，3）形成沟阻，4）形成沟道，5）形成转移栅，6）形成地，7）形成放大器源漏，8）连接通孔，9）形成金属引线；其特征在于所述步骤1）提供硅衬底按如下工艺进行：A、采用CVD方式在衬底层（2）上表面淀积硅薄膜，淀积出的硅薄膜即形成外延层（1）；B、采用机械损伤方式、激光损伤方式或离子注入损伤方式对衬底层（2）下表面进行处理，形成背面损伤层（3）；C、采用CVD方式在背面损伤层（3）表面淀积多晶硅薄膜或氮化硅薄膜，多晶硅薄膜或氮化硅薄膜即形成应变层（4）；由衬底层（2）经步骤A、B、C的处理后所形成的结构体，即为一多层复合结构的外延硅片，背面损伤层（3）和应变层（4）即为二层复合结构的非本征吸杂层；继续步骤2）至9）的操作，在外延层（1）上加工出CCD的表面结构，即可获得成品CCD。