[发明专利]基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺

权利要求书

1.一种基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺，包括：1）提供硅衬底，2）形成栅介质，3）形成沟阻，4）形成沟道，5）形成转移栅，6）形成地，7）形成放大器源漏，8）连接通孔，9）形成金属引线；其特征在于

所述步骤1）提供硅衬底按如下工艺进行：A、采用CVD方式在衬底层（2）上表面淀积硅薄膜，淀积出的硅薄膜即形成外延层（1）；

B、采用机械损伤方式、激光损伤方式或离子注入损伤方式对衬底层（2）下表面进行处理，形成背面损伤层（3）；

C、采用CVD方式在背面损伤层（3）表面淀积多晶硅薄膜或氮化硅薄膜，多晶硅薄膜或氮化硅薄膜即形成应变层（4）；

由衬底层（2）经步骤A、B、C的处理后所形成的结构体，即为一多层复合结构的外延硅片，背面损伤层（3）和应变层（4）即为二层复合结构的非本征吸杂层；继续步骤2）至9）的操作，在外延层（1）上加工出CCD的表面结构，即可获得成品CCD。

2.根据权利要求1所述的基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺，其特征在于：在步骤C完成之后，步骤2）开始之前，采用CVD方式在应变层（4）表面淀积低温二氧化硅薄膜，低温二氧化硅薄膜形成背封层（5）。

3.根据权利要求2所述的基于非本征吸杂技术的CCD制作工艺，其特征在于：所述背面损伤层（3）上的损伤中心的密度为2E14cm^-3以上；所述应变层（4）厚度为800nm以上；所述背封层（5）厚度为800nm以上。