[发明专利]一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410045559.6 申请日: 2014-02-08
公开(公告)号: CN103746190A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 周建华;徐瑞迪;李海雄;游佰强 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料及其制备方法,涉及一种左手材料。所述左手材料设有至少3排微波介电材料基板,微波介电材料基板的一侧雕刻至少3个三叉结构金属线单元,三叉结构金属线单元由形状如同字母E的金属线状材料组成;微波介电材料基板的另一侧雕刻至少3个与三叉结构金属线单元对称的背向三叉结构金属线单元,对称的背向三叉结构金属线单元和三叉结构金属线单元的数目相同,三叉结构金属线单元的中心与背向三叉结构金属线单元的中心在同一水平高度,三叉结构金属线单元之间的距离相同,背向三叉结构金属线单元之间的距离相同。可实现在12GHz与17GHz附近两个不同频段上同时产生负折射率、负介电常数以及负磁导率。
搜索关键词: 一种 双频 背向 交叉 耦合 周期 阵列 左手 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料,其特征在于设有至少3排微波介电材料基板,所述微波介电材料基板的一侧雕刻至少3个三叉结构金属线单元,所述三叉结构金属线单元是由形状如同字母E的金属线状材料组成;微波介电材料基板的另一侧雕刻至少3个与三叉结构金属线单元对称的背向三叉结构金属线单元,所述对称的背向三叉结构金属线单元和三叉结构金属线单元的数目相同,三叉结构金属线单元的中心与背向三叉结构金属线单元的中心在同一水平高度,三叉结构金属线单元之间的距离相同,背向三叉结构金属线单元之间的距离相同。
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