[发明专利]一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料及其制备方法

权利要求书

1.一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料，其特征在于设有至少3排微波介电材料基板，所述微波介电材料基板的一侧雕刻至少3个三叉结构金属线单元，所述三叉结构金属线单元是由形状如同字母E的金属线状材料组成；微波介电材料基板的另一侧雕刻至少3个与三叉结构金属线单元对称的背向三叉结构金属线单元，所述对称的背向三叉结构金属线单元和三叉结构金属线单元的数目相同，三叉结构金属线单元的中心与背向三叉结构金属线单元的中心在同一水平高度，三叉结构金属线单元之间的距离相同，背向三叉结构金属线单元之间的距离相同。

2.如权利要求1所述一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料，其特征在于所述微波介电材料基板的介电常数为2.2～16；厚度为0.2～3mm。

3.如权利要求2所述一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料，其特征在于所述微波介电材料基板的介电常数为4.4±5%；厚度为0.4±5%mm。

4.如权利要求1所述一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料，其特征在于所述三叉结构金属线与背向三叉结构金属线单元的外侧边长a为2.0～3.0mm，外底边的长度b为1.0～2.5mm，中心棒边长c为0.8～2.0mm，金属线各边的宽度w为0.05～0.25mm，金属线厚度为0.01～0.03mm。

5.如权利要求4所述一种双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料，其特征在于所述三叉结构金属线与背向三叉结构金属线单元的外侧边长a=3.0±0.02mm，b外底边的长度=2.2±0.02mm，中心棒边长c=1.6±0.02mm，金属线各边的宽度w=0.2±0.02mm，金属线厚度=0.018mm±5%。

6.如权利要求1～5任一所述双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）采用电路板刻蚀技术，在所设计厚度尺寸的双面敷良导体的介电材料微波基板两侧表面上分别雕刻出正向与背向三叉结构金属线单元阵列，结构单元中心间距根据设计频段选取3～10mm；

（2）改变基本单元结构中的几何参量制得各种不同大小的结构单元；

（3）将所制得的分布有周期性的背向交叉耦合单元阵列介质板切割成多个单元成一列的条状结构，再并列放置构成二维的双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料。

7.如权利要求6所述双频段背向交叉耦合周期阵列左手材料的制备方法，其特征在于在步骤（1）中，所述结构单元中心间距根据设计频段选取6.5±0.5mm。