[发明专利]包括半导体芯片和接线的器件有效
| 申请号： | 201410045239.0 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103972192B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | K·霍塞尼;J·马勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的各实施方式总体上涉及包括半导体芯片和接线的器件。具体地，涉及一种器件，包括载体、布置在所述载体之上的第一半导体芯片和布置在所述载体之上的第一导电元件。该器件进一步包括电耦合至所述第一导电元件的第一接线以及电耦合至所述第一导电元件和所述第一半导体芯片的第二接线。所述第一导电元件被配置为在所述第一接线与所述第二接线之间转发电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 半导体 芯片 接线 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：载体；布置在所述载体之上的第一半导体芯片；布置在所述载体之上的第一导电元件；电耦合至所述第一导电元件的第一接线；以及电耦合至所述第一导电元件和所述第一半导体芯片的第二接线，其中所述第一导电元件被配置为耦合所述第一接线与所述第二接线之间的电信号，其中所述第一导电元件包括层堆叠，其中所述层堆叠包括：布置在所述载体之上的第一导电层，其中所述第一导电层电耦合至所述载体；布置在所述第一导电层之上的电绝缘层；以及布置在所述电绝缘层之上的第二导电层，其中所述第二导电层的主表面电耦合至所述第一接线和所述第二接线，并且其中所述第二导电层的所述主表面的面积在从0.1平方毫米至10平方毫米的范围内。
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