[发明专利]在多层存储器结构中存储纠错码有效
| 申请号： | 201410045165.0 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103984605B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·J·高斯;M·A·盖尔特纳;A·帕塔波蒂安 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/0897 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了在多层存储器结构中存储纠错码。用于管理存储器中数据的方法和装置。根据一些实施例，数据对象存储在多层存储器结构的第一非易失性层中。生成在读取操作期间检测数据对象中至少一个位错误的ECC数据集。ECC数据集被存储在多层存储器结构的不同的第二非易失性层中。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 存储器 结构 存储 纠错码 | ||
【主权项】：
一种在多层存储器结构中存储纠错码的方法，包括：在多层存储器结构的第一非易失性存储器层中存储数据对象；生成在读取操作期间检测数据对象中至少一个位错误的ECC数据集；以及在多层存储器结构的不同的第二非易失性存储器层中存储所述ECC数据集，其中，存储步骤包括：响应于和数据对象的大小相关的ECC数据集的大小，在所述多层存储器结构中从多个可用较低层选择所述第二非易失性存储器层，其中，响应于与所述数据对象相关联的数据属性和与所述第二非易失性存储器层相关联的存储属性，选择所述第二非易失性存储器层，其中，所述ECC数据集具有根据与所述数据对象相关联的数据属性和与其中存储了ECC数据集的所述第二非易失性存储器层相关联的存储属性而选择和调整的大小和强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045165.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种粉磨站的中转管
- 下一篇：芯片的固件升级方法和固件升级装置
