[发明专利]包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件的半导体部分包括：半导体层，具有第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个杂质区。杂质区与元件区域中的半导体部分的第一表面邻接。连接层与第一表面相对地与半导体层直接邻接。在相对于第一表面的一定距离，过补偿区形成在包围元件区域的边缘区域中。过补偿区和连接层具有相反的导电类型。沿垂直于第一表面的方向，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间。在局部高电流密度的情况下，过补偿区将局部抵消电场强度的进一步增加并且降低雪崩击穿的风险的电荷载流子注入到半导体层中。

主权项

1.一种包括半导体部分的半导体器件，所述半导体部分包括：半导体层，包括一种第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个阳极区域或主体区，所述至少一个阳极区域或主体区与半导体部分的第一表面邻接并且电连接到第一电极结构；元件区域，形成在所述半导体层的横向中心中并且包括阳极区域或主体区；边缘区域，横向包围所述元件区域并且在横向方向上从所述元件区域延伸到所述半导体层的外表面，其中所述外表面在所述第一表面与所述半导体层的第二表面之间延伸，所述第二表面与所述第一表面相对，其中在所述元件区域中，所述漂移区与阳极区域或主体区形成pn结；连接层，在所述第二表面处与所述半导体层直接邻接，其中连接层中的平均杂质浓度是漂移区中的平均杂质浓度的至少十倍；和过补偿区，设置在所述边缘区域中，其中过补偿区和连接层具有相反的导电类型，并且在过补偿区关于第一表面的垂直投影中，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间，其中所述漂移区使所述过补偿区与所述第一表面和其他掺杂区或所述边缘区域的介电结构分开。