[发明专利]包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种包括半导体部分的半导体器件，所述半导体部分包括：

半导体层，包括一种第一导电类型的漂移区和第二相反导电类型的至少一个阳极区域或主体区，所述至少一个阳极区域或主体区与半导体部分的第一表面邻接并且电连接到第一电极结构；

元件区域，形成在所述半导体层的横向中心中并且包括阳极区域或主体区；

边缘区域，横向包围所述元件区域并且在横向方向上从所述元件区域延伸到所述半导体层的外表面，其中所述外表面在所述第一表面与所述半导体层的第二表面之间延伸，所述第二表面与所述第一表面相对，其中在所述元件区域中，所述漂移区与阳极区域或主体区形成pn结；

连接层，在所述第二表面处与所述半导体层直接邻接，其中连接层中的平均杂质浓度是漂移区中的平均杂质浓度的至少十倍；和

过补偿区，设置在所述边缘区域中，其中过补偿区和连接层具有相反的导电类型，并且在过补偿区关于第一表面的垂直投影中，漂移区的一部分布置在第一表面和过补偿区之间，其中所述漂移区使所述过补偿区与所述第一表面和其他掺杂区或所述边缘区域的介电结构分开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接层具有第一导电类型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区包含至少第一导电类型的第一杂质和第二导电类型的第二杂质，第二杂质的浓度在局部超过第一杂质的浓度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二杂质的浓度在过补偿区的部分中超过第一杂质的浓度至少10%。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区不形成在元件区域中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区形成在半导体层的与靠近第一表面相比更靠近连接层的部分中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是包括所述阳极区域的二极管，并且其中连接层具有第一导电类型。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是包括主体区域的绝缘栅场效应晶体管，其中连接层具有第一导电类型，所述半导体器件还包括第一导电类型的杂质阱，所述杂质阱形成在主体区域中并且与第一表面邻接。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一杂质包括磷原子并且第二杂质是硼原子。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包括与连接层直接邻接的场停止区，所述场停止区具有第一导电类型，所述场停止区中的平均杂质浓度高于漂移区中的杂质浓度，并且连接层中的平均杂质浓度是场停止区中的平均杂质浓度的至少五倍，以及

过补偿区的至少一部分形成在场停止区中。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包括与连接层直接邻接的缓冲区域，所述缓冲区域具有第一导电类型，所述缓冲区域中的平均净杂质浓度低于漂移区中的杂质浓度，并且连接层中的平均净杂质浓度是缓冲区域中的平均净杂质浓度的至少五倍，以及

过补偿区的至少一部分形成在缓冲区域中。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区与连接层直接邻接。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区沿垂直于第一表面的方向的垂直尺寸为至少200 nm。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区形成为与半导体部分的第一表面和第二相反表面相隔一定距离。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述过补偿区包括多个在空间上分离的小岛。