[发明专利]半导体评价装置及半导体评价方法有效
| 申请号: | 201410042200.3 | 申请日: | 2014-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN103969565A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
| 发明(设计)人: | 秋山肇;冈田章;山下钦也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的目的在于提供一种半导体评价装置及半导体评价方法,其成本低,且不增加评价工序所花费的时间,能够简单地抑制被测定物上的局部放电的发生。半导体评价装置(1)具有:卡盘台(3),其对作为被测定物的半导体装置(5)进行保持;接触探针(10),其用于与保持在卡盘台(3)上的半导体装置(5)接触而评价半导体装置(5)的电气特性;以及流体吹出部(7),其向半导体装置(5)吹出流体。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 评价 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体评价装置,其具有:卡盘台,其对被测定物进行保持;接触探针,其用于与保持在所述卡盘台上的所述被测定物接触而评价该被测定物的电气特性;以及流体吹出单元,其向所述被测定物吹出流体。
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