[发明专利]半导体评价装置及半导体评价方法

权利要求书

1.一种半导体评价装置，其具有：

卡盘台，其对被测定物进行保持；

接触探针，其用于与保持在所述卡盘台上的所述被测定物接触而评价该被测定物的电气特性；以及

流体吹出单元，其向所述被测定物吹出流体。

2.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有流体吸入单元，该流体吸入单元设置在与所述流体吹出单元相对的位置处，且吸入由所述流体吹出单元吹出的流体。

3.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有用于设置所述接触探针的绝缘性基体，

所述流体吹出单元设置在所述绝缘性基体上。

4.根据权利要求2所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有用于设置所述接触探针的绝缘性基体，

所述流体吹出单元及所述流体吸入单元设置在所述绝缘性基体上。

5.根据权利要求3所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元在所述绝缘性基体上，设置在与所述接触探针相邻的位置处。

6.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有控制单元，该控制单元在开始评价所述被测定物的电气特性的同时，开始通过所述流体吹出单元吹出流体。

7.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元具有喷嘴。

8.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元设置为能够向所述被测定物的表面整体吹出流体。

9.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元设置为能够向所述被测定物的外缘部吹出流体。

10.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述接触探针及所述流体吹出单元各自设置在所述被测定物的正反面侧。

11.根据权利要求10所述的半导体评价装置，其中，

将由所述流体吹出单元吹出的流体吸入的流体吸入单元，分别设置在所述被测定物的正反面侧的与所述流体吹出单元相对的位置处。

12.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

由所述流体吹出单元吹出的流体为六氟化硫气体、二氧化碳气体或氮气。

13.根据权利要求7所述的半导体评价装置，其中，

在所述喷嘴上设置有第1温度调整单元，该第1温度调整单元对由所述流体吹出单元吹出的流体的温度进行调整。

14.根据权利要求13所述的半导体评价装置，其中，

所述第1温度调整单元将流体的温度调整为与评价所述被测定物的电气特性时的所述被测定物的温度相同的温度。

15.根据权利要求9所述的半导体评价装置，其中，

在所述接触探针上设置有遮挡单元，该遮挡单元进行遮挡以使得由所述流体吹出单元吹出的流体不从所述被测定物的外缘部流入至内侧。

16.根据权利要求9所述的半导体评价装置，其中，

在所述绝缘性基体上设置有遮挡单元，该遮挡单元进行遮挡以使得由所述流体吹出单元吹出的流体不从所述被测定物的外缘部流入至内侧。

17.根据权利要求15所述的半导体评价装置，其中，

所述遮挡单元由金属板形成。

18.根据权利要求15所述的半导体评价装置，其中，

所述遮挡单元由绝缘物形成。

19.根据权利要求15所述的半导体评价装置，其中，

在所述遮挡单元上设置有第2温度调整单元，该第2温度调整单元对该遮挡单元的温度进行调整。

20.一种半导体评价方法，在该方法中，使用权利要求1所述的半导体评价装置，

该半导体评价方法具有下述工序：

通过使所述接触探针与所述被测定物接触而进行所述被测定物的电气评价的工序；以及

在进行所述被测定物的电气评价的工序时，由所述流体吹出单元向所述被测定物的表面吹出流体的工序。

21.一种半导体评价方法，在该方法中，使用权利要求2所述的半导体评价装置，

该半导体评价方法具有下述工序：

通过使所述接触探针与所述被测定物接触而进行所述被测定物的电气评价的工序；

在进行所述被测定物的电气评价的工序时，由所述流体吹出单元向所述被测定物的表面吹出流体的工序；以及

通过所述流体吸入单元，将在向所述被测定物的表面吹出流体的工序时所吹出的流体吸入的工序。