[发明专利]银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410038240.0 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103805200A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杜玲;茅惠兵;王基庆 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料，其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点，所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成，其颗粒形貌均一，分散性良好，发光效率高。本发明还公开了银纳米晶／半导体量子点复合纳米材料的制备方法，该方法可在常温常压下进行，简单易行，成本低，适于广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 半导体 量子 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米晶／半导体量子点复合纳米材料，其特征在于，其包括银纳米晶和CdSe／ZnS量子点，所述银纳米晶和CdSe／ZnS量子点之间由静电作用结合而成。
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