[发明专利]银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410038240.0 申请日: 2014-01-26
公开(公告)号: CN103805200A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 杜玲;茅惠兵;王基庆 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 纳米 半导体 量子 复合 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其特征在于,其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点,所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成。

2.如权利要求1所述的银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其特征在于,所述银纳米晶的直径为30-50纳米,所述CdSe/ZnS量子点的直径为12-16纳米,所述CdSe/ZnS量子点的发光波长为540-660纳米。

3.一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)常温常压下,在烧杯中加入去离子水和聚乙烯吡咯烷酮,待完全溶解后,依次加入硝酸银溶液、氯化钠溶液;用锡箔纸将烧杯密封,在黑暗中磁性搅拌,得到了氯化银溶液;

(2)分别配制抗坏血酸溶液、氢氧化钠溶液,混合后搅拌均匀,得到混合溶液。

(3)将步骤(1)得到的溶液I加入至步骤(2)得到的溶液II中,搅拌均匀后用锡箔纸将烧杯密封,在黑暗中磁性搅拌,得到银纳米晶黑褐色溶液;

(4)取溶液III,经离心、清洗、干燥后得到银纳米晶;

(5)将步骤(4)制备得到的银纳米晶完全溶解在甲苯中,加入CdSe/ZnS量子点,经超声离心清洗,真空烘干后得到如权利要求1所述的Ag/量子点复合纳米材料。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述银纳米晶与所述CdSe/ZnS量子点的用量比例为2:9-1:2。

5.一种如权利要求3方法制备得到的银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料。

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