[发明专利]银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201410038240.0 | 申请日: | 2014-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN103805200A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
| 发明(设计)人: | 杜玲;茅惠兵;王基庆 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
| 主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
| 地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 半导体 量子 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其特征在于,其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点,所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成。
2.如权利要求1所述的银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其特征在于,所述银纳米晶的直径为30-50纳米,所述CdSe/ZnS量子点的直径为12-16纳米,所述CdSe/ZnS量子点的发光波长为540-660纳米。
3.一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)常温常压下,在烧杯中加入去离子水和聚乙烯吡咯烷酮,待完全溶解后,依次加入硝酸银溶液、氯化钠溶液;用锡箔纸将烧杯密封,在黑暗中磁性搅拌,得到了氯化银溶液;
(2)分别配制抗坏血酸溶液、氢氧化钠溶液,混合后搅拌均匀,得到混合溶液。
(3)将步骤(1)得到的溶液I加入至步骤(2)得到的溶液II中,搅拌均匀后用锡箔纸将烧杯密封,在黑暗中磁性搅拌,得到银纳米晶黑褐色溶液;
(4)取溶液III,经离心、清洗、干燥后得到银纳米晶;
(5)将步骤(4)制备得到的银纳米晶完全溶解在甲苯中,加入CdSe/ZnS量子点,经超声离心清洗,真空烘干后得到如权利要求1所述的Ag/量子点复合纳米材料。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述银纳米晶与所述CdSe/ZnS量子点的用量比例为2:9-1:2。
5.一种如权利要求3方法制备得到的银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学,未经华东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410038240.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





