[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201410035960.1 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103746001B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个目的在于提供包括氧化物半导体膜的晶体管，其用于显示装置的像素部分，并且具有高可靠性。一种显示装置具有第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜；在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极，其中，通过二次离子质谱法测量的所述氧化物半导体膜内含有的氢原子的浓度低于1×1016cm‑3。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括：第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接至所述氧化物半导体膜；在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；以及在所述第二栅极绝缘膜上的有机树脂膜；其中，所述有机树脂膜与所述第二栅电极不重叠，并且其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度小于1×1016cm‑3。
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