[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201410035960.1 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103746001B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括：
第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；
在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；
源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接至所述氧化物半导体膜；
在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；
在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极；以及
在所述第二栅极绝缘膜上的有机树脂膜；
其中，所述有机树脂膜与所述第二栅电极不重叠，并且
其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度小于1×1016cm-3。
2.一种显示装置，包括：
第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；
在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括沟道区域，所述沟道区域包括铟、锌和镓；
在所述氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；以及
在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一栅电极以所述氧化物半导体膜插于其间的方式重叠；
其中，所述沟道区域包括结晶区，在该结晶区中，c轴取向在与所述氧化物半导体膜的表面基本垂直的方向，并且
其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度小于1×1016cm-3。
3.一种显示装置，包括：
第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；
在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括沟道区域，所述沟道区域包括铟、锌和镓；
在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极，其中所述源电极和漏电极电连接至所述氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；
在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一栅电极以所述氧化物半导体膜插于其间的方式重叠；
在所述第二栅极绝缘膜上的有机树脂膜，其中所述有机树脂膜与所述第二栅电极不重叠；以及
在所述有机树脂膜上的像素电极，
其中，所述沟道区域包括结晶区，在该结晶区中，c轴取向在与所述氧化物半导体膜的表面基本垂直的方向，并且
其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度小于1×1016cm-3。
4.一种显示装置，包括：
第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；
在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括沟道区域，所述沟道区域包括铟、锌和镓；
源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接至所述氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜；
在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一栅电极以所述氧化物半导体膜插于其间的方式重叠；以及
像素电极，其中所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的一方，
其中，所述沟道区域包括微晶，并且所述微晶的颗粒尺寸等于或小于4nm，并且
其中，所述氧化物半导体膜的氢浓度小于1×1016cm-3。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述微晶的颗粒尺寸等于或大于2nm。
6.根据权利要求4所述的显示装置，还包括在所述像素电极上的发光层。
7.根据权利要求4所述的显示装置，还包括在所述像素电极上的液晶层。
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