[发明专利]介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法在审
| 申请号： | 201410035537.1 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103964838A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 藤井顺;渡边敏昭;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在薄膜电容器等中能够提高泄漏电流特性的介电薄膜形成用组合物、以及介电薄膜的形成方法。在用于形成由钛酸锶钡即BST系复合钙钛矿膜构成的介电薄膜的介电薄膜形成用组合物中掺杂着Al即铝。并且，Al即铝相对于包含在上述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.1原子%以上15原子%以下范围。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种介电薄膜形成用组合物，其用于形成由钛酸锶钡系复合钙钛矿膜构成的介电薄膜，其特征在于，在所述组合物中掺杂着铝，所述铝相对于包含在所述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.1原子%以上15原子%以下范围。
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