[发明专利]介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种介电薄膜形成用组合物，其用于形成由钛酸锶钡系复合钙钛矿膜构成的介电薄膜，其特征在于，

在所述组合物中掺杂着铝，

所述铝相对于包含在所述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.1原子%以上15原子%以下范围。

2.根据权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

所述钛酸锶钡系复合钙钛矿膜以通式：Ba_1-xSr_xTi_yO₃表示，式中，0.2＜x＜0.6、0.9＜y＜1.1。

3.根据权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述钛酸锶钡系复合钙钛矿膜的原料含有有机基团通过其氧原子或氮原子与金属元素结合的化合物。

4.根据权利要求3所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述钛酸锶钡系复合钙钛矿膜的原料含有选自金属醇盐、金属二醇络合物、金属三醇络合物、金属羧酸盐、金属β-二酮络合物、金属β-二酮酯络合物、金属β-亚氨基酮络合物及金属氨基络合物中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述钛酸锶钡系复合钙钛矿膜的原料含有有机基团通过其氧原子或氮原子与铝元素结合的化合物。

6.根据权利要求5所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述钛酸锶钡系复合钙钛矿膜的原料含有选自羧酸盐化合物、硝酸盐化合物、醇盐化合物、二醇化合物、三醇化合物、β-二酮化合物、β-二酮酯化合物、β-亚氨基酮化合物及氨基化合物中的一种或两种以上。

7.根据权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

该介电薄膜形成用组合物相对于所述组合物中的金属总量1摩尔以0.2～3摩尔比例还含有稳定剂，该稳定剂选自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、含氧酸、二醇、三醇、高级羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上。

8.根据权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

所述铝相对于包含在所述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.2原子%以上10原子%以下范围。

9.一种介电薄膜的形成方法，其特征在于，

该方法利用权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物。

10.一种介电薄膜的形成方法，其特征在于，

反复进行将权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物涂布到耐热性基板上并进行干燥的工序，直至获得所期望的厚度的膜，之后在空气中或氧化气氛中又或含水蒸气的气氛中以结晶温度以上的温度烧成该膜。

11.一种具有通过权利要求9或10所述的方法形成的介电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达、电子开关、光学开关或LC噪声滤波器元件的复合电子组件的制造方法。