[发明专利]一种MOS管及其制造方法

摘要

本发明提供一种MOS管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括下列步骤：在第一导电型的第一区域上形成第二区域；在第二区域表面热氧化生长第一氧化层；剥掉第二区域的第一氧化层；在第一氧化层位置再生长第二氧化层；在第二氧化层上沉淀形成第三区域；在第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极；在沟槽下的第二区域内形成体区；在沟槽内放置光阻，进行光刻，在体区上，沟槽与栅极交界处的底部形成源区；在体区内沟槽底部形成第四区域；在栅极上以及沟槽内沉淀介质层，进行回流；在介质层沉淀第一金属层；在第一区域下沉淀第二金属层形成漏极。本发明的方法，解决了现有的制造工艺制造的MOS管作为开关抗冲击能力低的问题。

主权项

1.一种MOS管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：在第一导电型的第一区域上形成第二区域；在所述第二区域表面热氧化生长第一氧化层；剥掉所述第二区域除终端结构位置处的所述第一氧化层；在剥掉所述第一氧化层的第二区域表面的位置再生长第二氧化层；在所述第二氧化层上沉淀形成第三区域；在所述第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极，其中所述沟槽未贯穿所述第二氧化层；在所述沟槽下的第二区域内形成体区；在所述沟槽内放置光阻，进行光刻，在所述体区上，所述沟槽与所述栅极交界处的底部形成源区；在所述体区内所述沟槽底部形成第四区域；在所述栅极上以及所述沟槽内沉淀介质层，进行回流；打开引线孔，在所述介质层及所述引线孔沉淀第一金属层，其中所述引线孔贯穿部分所述第二氧化层；在所述第一区域下沉淀第二金属层形成漏极；其中，所述体区和所述第四区域为相同的导电型，且所述第四区域具有比所述体区高的掺杂剂浓度。