[发明专利]一种MOS管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410032796.9 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810286B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡远飞;何昌;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOS管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
在第一导电型的第一区域上形成第二区域；
在所述第二区域表面热氧化生长第一氧化层；
剥掉所述第二区域除终端结构位置处的所述第一氧化层；
在剥掉所述第一氧化层的第二区域表面的位置再生长第二氧化层；
在所述第二氧化层上沉淀形成第三区域；
在所述第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极，其中所述沟槽未贯穿所述第二氧化层；
在所述沟槽下的第二区域内形成体区；
在所述沟槽内放置光阻，进行光刻，在所述体区上，所述沟槽与所述栅极交界处的底部形成源区；
在所述体区内所述沟槽底部形成第四区域；
在所述栅极上以及所述沟槽内沉淀介质层，进行回流；
打开引线孔，在所述介质层及所述引线孔沉淀第一金属层，其中所述引线孔贯穿部分所述第二氧化层；
在所述第一区域下沉淀第二金属层形成漏极；其中，所述体区和所述第四区域为相同的导电型，且所述第四区域具有比所述体区高的掺杂剂浓度。
2.根据权利要求1所述的MOS管的制造方法，其特征在于，所述第二区域为所述第一导电型且具有比第一区域低的掺杂剂浓度。
3.根据权利要求1所述的MOS管的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层为栅氧化层。
4.根据权利要求1所述的MOS管的制造方法，其特征在于，所述第三区域为多晶硅。
5.根据权利要求1所述的MOS管的制造方法，其特征在于，所述体区具有与第一导电型相反的第二导电型。
6.根据权利要求1所述的MOS管的制造方法，其特征在于，所述源区为第一导电型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
