[发明专利]一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410031875.8 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN103755352A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 王胜金;贾德昌;庄艳丽;张培峰;刘仁;周玉 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/5835 分类号: C04B35/5835;C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,本发明涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大,且较难满足高温使用要求的问题。方法:一、按比例称取原料;二、制备封孔浆料;三、采用真空浸渍法制备封孔层;四、进行干燥处理,热处理。本发明所述制备方法工艺简单,封孔层厚度均匀、致密,封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成,可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料,用于航空航天、机械工业领域。
搜索关键词: 一种 多孔 bn si sub 复合 陶瓷 封孔层 制备 方法
【主权项】:
一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于该多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,具体是按以下步骤进行:一、将陶瓷粉体和烧结助剂混合均匀,得到混合粉体,其中,陶瓷粉体为Si3N4粉体和SiO2粉体的混合物,Si3N4粉体与SiO2粉体的摩尔比为0.5~1.5,烧结助剂的加入量为陶瓷粉体质量的5%~15%;二、将润湿剂和分散剂加入去离子水中,得到预混液,然后调节预混液的pH值至8.5~10.5,再加入步骤一得到的混合粉体,然后球磨混合,得到封孔浆料,控制封孔浆料的固相体积含量为5~25%;其中,分散剂的加入量为陶瓷粉体质量的0.2%~0.6%,润湿剂的加入量为陶瓷粉体质量的1%~2%;三、将多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料浸入步骤二得到的封孔浆料中,调节真空度至0.01MPa~0.05MPa,保持3min~15min,得到封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷;四、将步骤三得到的封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料进行干燥处理,再进行热处理,得到具有Si3N4‑Si2N2O复合陶瓷封孔层的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料,完成一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法。
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