[发明专利]一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410031875.8 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN103755352A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 王胜金;贾德昌;庄艳丽;张培峰;刘仁;周玉 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/5835 分类号: C04B35/5835;C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 多孔 bn si sub 复合 陶瓷 封孔层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于该多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,具体是按以下步骤进行:

一、将陶瓷粉体和烧结助剂混合均匀,得到混合粉体,其中,陶瓷粉体为Si3N4粉体和SiO2粉体的混合物,Si3N4粉体与SiO2粉体的摩尔比为0.5~1.5,烧结助剂的加入量为陶瓷粉体质量的5%~15%;

二、将润湿剂和分散剂加入去离子水中,得到预混液,然后调节预混液的pH值至8.5~10.5,再加入步骤一得到的混合粉体,然后球磨混合,得到封孔浆料,控制封孔浆料的固相体积含量为5~25%;其中,分散剂的加入量为陶瓷粉体质量的0.2%~0.6%,润湿剂的加入量为陶瓷粉体质量的1%~2%;

三、将多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料浸入步骤二得到的封孔浆料中,调节真空度至0.01MPa~0.05MPa,保持3min~15min,得到封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷;

四、将步骤三得到的封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料进行干燥处理,再进行热处理,得到具有Si3N4-Si2N2O复合陶瓷封孔层的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料,完成一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法。

2.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤一中的烧结助剂为Al2O3和Y2O3的混合物,Al2O3的平均粒径为100nm,Y2O3的平均粒径为50nm,Al2O3与Y2O3的体积比为1:2。

3.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤一中Si3N4粉体的平均粒径为0.5μm,SiO2粉体的平均粒径为0.7μm。

4.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中分散剂为聚丙烯酸,润湿剂为聚乙二醇400。

5.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中采用稀盐酸和四甲基氢氧化铵调节预混液的pH值。

6.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中球料质量比为(1~1.5):1,球磨时间为10h~24h。

7.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤三在真空箱中进行。

8.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤四中干燥处理在恒温恒湿箱中进行,先控制湿度为50%~100%,温度为20℃~30℃,干燥1~3天,再控制湿度为30%~50%,温度为30℃~60℃,至完全干燥。

9.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤四中热处理在气氛烧结炉中进行,以N2为保护气体,控制压力为0.1MPa~0.6MPa,升温速率为10℃/min~30℃/min,热处理温度为1550℃~1700℃,保温1h~3h。

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