[发明专利]一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法有效
| 申请号: | 201410031875.8 | 申请日: | 2014-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN103755352A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
| 发明(设计)人: | 王胜金;贾德昌;庄艳丽;张培峰;刘仁;周玉 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C04B35/5835 | 分类号: | C04B35/5835;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多孔 bn si sub 复合 陶瓷 封孔层 制备 方法 | ||
1.一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于该多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,具体是按以下步骤进行:
一、将陶瓷粉体和烧结助剂混合均匀,得到混合粉体,其中,陶瓷粉体为Si3N4粉体和SiO2粉体的混合物,Si3N4粉体与SiO2粉体的摩尔比为0.5~1.5,烧结助剂的加入量为陶瓷粉体质量的5%~15%;
二、将润湿剂和分散剂加入去离子水中,得到预混液,然后调节预混液的pH值至8.5~10.5,再加入步骤一得到的混合粉体,然后球磨混合,得到封孔浆料,控制封孔浆料的固相体积含量为5~25%;其中,分散剂的加入量为陶瓷粉体质量的0.2%~0.6%,润湿剂的加入量为陶瓷粉体质量的1%~2%;
三、将多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料浸入步骤二得到的封孔浆料中,调节真空度至0.01MPa~0.05MPa,保持3min~15min,得到封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷;
四、将步骤三得到的封孔后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料进行干燥处理,再进行热处理,得到具有Si3N4-Si2N2O复合陶瓷封孔层的多孔BN/Si3N4复合陶瓷材料,完成一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法。
2.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤一中的烧结助剂为Al2O3和Y2O3的混合物,Al2O3的平均粒径为100nm,Y2O3的平均粒径为50nm,Al2O3与Y2O3的体积比为1:2。
3.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤一中Si3N4粉体的平均粒径为0.5μm,SiO2粉体的平均粒径为0.7μm。
4.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中分散剂为聚丙烯酸,润湿剂为聚乙二醇400。
5.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中采用稀盐酸和四甲基氢氧化铵调节预混液的pH值。
6.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤二中球料质量比为(1~1.5):1,球磨时间为10h~24h。
7.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤三在真空箱中进行。
8.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤四中干燥处理在恒温恒湿箱中进行,先控制湿度为50%~100%,温度为20℃~30℃,干燥1~3天,再控制湿度为30%~50%,温度为30℃~60℃,至完全干燥。
9.根据权利要求1所述的一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,其特征在于步骤四中热处理在气氛烧结炉中进行,以N2为保护气体,控制压力为0.1MPa~0.6MPa,升温速率为10℃/min~30℃/min,热处理温度为1550℃~1700℃,保温1h~3h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410031875.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法





