[发明专利]存储器元件的半导体结构及布局结构有效

专利信息
申请号: 201410031716.8 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN104810369B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 陈震;王献德;邱意珊;程伟 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L29/423
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种存储器元件的半导体结构及布局结构,其布局结构包含有多个第一栅极图案、多个第一接触垫图案、多个虚置图案、多个第二接触垫图案、以及多个第二栅极图案。该等第一接触垫图案彼此平行且与该等第一栅极图案电性连接。该等虚置图案与该等第一接触垫图案交错排列,而该等第二接触垫图案则分别设置于一该第一接触垫图案与一该虚置图案之间。另外,该等第二栅极图案是电性连接至该等第二接触垫图案。
搜索关键词: 存储器 元件 半导体 结构 布局
【主权项】:
1.一种存储器元件的布局结构,包含有:多个第一栅极图案;多个第一接触垫(landing pad)图案,该多个第一接触垫图案彼此平行且与该多个第一栅极图案电性连接;多个虚置图案,该多个虚置图案与该多个第一接触垫图案交错排列;多个第二接触垫图案,分别设置于一该第一栅极图案与一该虚置图案之间;以及多个第二栅极图案,电性连接至该多个第二接触垫图案,其中该多个虚置图案的长度小于该多个第一接触垫图案的长度与该多个第二接触垫图案的长度。
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