[发明专利]存储器元件的半导体结构及布局结构有效
申请号: | 201410031716.8 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810369B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 陈震;王献德;邱意珊;程伟 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L29/423 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种存储器元件的半导体结构及布局结构,其布局结构包含有多个第一栅极图案、多个第一接触垫图案、多个虚置图案、多个第二接触垫图案、以及多个第二栅极图案。该等第一接触垫图案彼此平行且与该等第一栅极图案电性连接。该等虚置图案与该等第一接触垫图案交错排列,而该等第二接触垫图案则分别设置于一该第一接触垫图案与一该虚置图案之间。另外,该等第二栅极图案是电性连接至该等第二接触垫图案。 | ||
搜索关键词: | 存储器 元件 半导体 结构 布局 | ||
【主权项】:
1.一种存储器元件的布局结构,包含有:多个第一栅极图案;多个第一接触垫(landing pad)图案,该多个第一接触垫图案彼此平行且与该多个第一栅极图案电性连接;多个虚置图案,该多个虚置图案与该多个第一接触垫图案交错排列;多个第二接触垫图案,分别设置于一该第一栅极图案与一该虚置图案之间;以及多个第二栅极图案,电性连接至该多个第二接触垫图案,其中该多个虚置图案的长度小于该多个第一接触垫图案的长度与该多个第二接触垫图案的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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