[发明专利]晶圆支撑装置和去气工艺腔室有效
| 申请号： | 201410031011.6 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104795347B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郑金果 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆支撑装置和去气工艺腔室，晶圆支撑装置包括固定部、连接部和支撑部；所述连接部的一端与固定部连接，所述连接部的另一端与支撑部连接；所述支撑部上设置有用于支撑晶圆的凸台；所述支撑部还设置有限位台；所述限位台设置远离所述凸台的另一端；所述限位台面向所述凸台的一面设置有一斜面。本发明的晶圆支撑装置与晶圆的接触面积大，同时设置了限位台避免晶圆发生大的偏移，本发明中的晶圆支撑装置上放置的晶圆的偏移均在可控和允许的范围内，可以根据不同的晶圆设计不同尺寸的晶圆支撑装置，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆支撑装置，其特征在于，包括固定部、连接部和支撑部；所述固定部固定在去气工艺腔室的底部，所述连接部的一端与固定部连接，所述连接部的另一端与支撑部连接；所述支撑部上设置有用于支撑晶圆的凸台；所述支撑部还设置有限位台；所述限位台设置远离所述凸台的另一端；所述限位台面向所述凸台的一面设置有一斜面，其中当所述晶圆需要传热时，所述凸台的表面积为所述晶圆的表面积的0.5％至1.5％，当所述晶圆不需要传热时，所述凸台的表面积最小为所述晶圆表面积的0.5％，最大等于所述支撑部的内切圆的表面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
