[发明专利]晶圆支撑装置和去气工艺腔室

权利要求书

1.一种晶圆支撑装置，其特征在于，包括固定部、连接部和支撑部；

所述固定部固定在去气工艺腔室的底部，

所述连接部的一端与固定部连接，所述连接部的另一端与支撑部连接；

所述支撑部上设置有用于支撑晶圆的凸台；

所述支撑部还设置有限位台；

所述限位台设置远离所述凸台的另一端；所述限位台面向所述凸台的一面设置有一斜面，

其中当所述晶圆需要传热时，所述凸台的表面积为所述晶圆的表面积的0.5％至1.5％，当所述晶圆不需要传热时，所述凸台的表面积最小为所述晶圆表面积的0.5％，最大等于所述支撑部的内切圆的表面积。

2.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述支撑部水平设置；

所述凸台的表面为平面。

3.根据权利要求2所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述限位台面向所述凸台的一面还设置有垂直面和弧面；

所述垂直面的高度大于等于所述凸台的高度与所述晶圆的厚度之和；

所述弧面的两端分别与所述垂直面和所述斜面平滑过渡。

4.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述斜面的倾斜角小于20度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述连接部与所述固定部垂直连接，所述支撑部与所述连接部垂直连接。

6.一种去气工艺腔室，其特征在于，包括权利要求1至5任意一项所述的晶圆支撑装置。

7.根据权利要求6所述的去气工艺腔室，其特征在于，所述晶圆支撑装置为两个或者三个；

两个或者三个所述晶圆支撑装置的弧面的外切面处于同一第一圆周上；

两个或者三个所述晶圆支撑装置的凸台的中心处于同一第二圆周上；

当晶圆放置在去气工艺腔室的传片位置时，所述第一圆周的半径大于所述晶圆的半径；所述第二圆周的半径小于所述晶圆的半径。

8.根据权利要求7所述的去气工艺腔室，其特征在于，

当晶圆放置在去气工艺腔室的传片位置时，所述第二圆周的半径为所述晶圆的半径的1/2。

9.根据权利要求7所述的去气工艺腔室，其特征在于，当晶圆放置在去气工艺腔室的传片位置时，两个或者三个所述晶圆支撑装置的弧面的外端处于同一第三圆周上；两个或者三个所述晶圆支撑装置的弧面的内端处于同一第四圆周上；

所述第一圆周的半径大于所述第四圆周的半径；

所述第四圆周的半径大于所述晶圆的半径。