[发明专利]一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件

摘要

本发明公开了一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件，其通过第一和第二RDL把光子器件和TSV沟通；通过第一、第二凸点将第一电子器件和第二电子器件和光子器件连接；通过TSV和背面第三RDL、第三凸点和基板连接，实现基板和正面CMOS/光子器件的沟通；本发明将先进的CMOS芯片和单片多种硅光器件的混合集成；本发明同时保证了高性能硅光器件在SOI衬底的单片集成和CMOS芯片的先进制造，允许二者都是用各种最先进和方便的工艺进行制造，充分借用CMOS工艺进而能大幅降低成本；本发明将单片集成的硅光子器件和先进COMS芯片通过TSV技术完成超短距离高速电学互连，实现高速宽带硅光互连。

主权项

一种高速宽带硅光转接板的制造方法，其特征在于：包括，提供一实现了光子器件单片集成的半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面，其上设置有光子器件，所述光子器件具有接触区，所述接触区上形成有金属接触；自所述半导体衬底的正面向背面形成TSV深孔；在所述正面以及所述TSV深孔内沉积绝缘层；形成与所述半导体衬底上的金属接触互连的光子器件接触孔；在绝缘层上以及与金属接触互连的光子器件接触孔内沉积扩散阻挡层和种子层，并在正面以及所述光子器件接触孔和TSV深孔中填充导电金属；在所述正面形成与所述光子器件接触孔内的导电金属相电性连接的第一RDL和第一凸点，以及与所述TSV深孔内的导电金属相电性连接的第二RDL和第二凸点；自所述背面开始减薄所述半导体衬底直至露出所述TSV深孔的导电金属；在所述背面形成与所述TSV深孔内的导电金属相电性连接的第三RDL和第三凸点；将所述第一凸点、第二凸点分别与第一电子器件、第二电子器件相连接。