[发明专利]一种等离子体背场增强轨道在审
| 申请号： | 201410028250.6 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103731967A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王厚生;陈顺中;李献;李兰凯;庞占忠;戴银明;王秋良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体背场增强轨道，其特征在于，所述的等离子体背场增强轨道包括主轨道和梯度外轨。所述的主轨道为水平布置的两根平行的金属轨道。所述的梯度外轨由对称地成对布置于主轨道上下两侧的单边梯度外轨组成。背场增强轨道产生沿前进方向上具有梯度的磁场，该磁场对等离子体在推进方向上产生压缩，抵消等离子体在高温高压膨胀状态下的发散作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 增强 轨道 | ||
【主权项】：
一种等离子体背场增强轨道，其特征在于，所述的等离子体背场增强轨道包括主轨道和梯度外轨；所述的主轨道为水平布置的两根平行的金属轨道；所述的梯度外轨由对称地成对布置于主轨道上下两侧的单边梯度外轨组成；所述的梯度外轨的梯度沿前进方向为负值，背场增强轨道产生沿前进方向的磁场梯度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410028250.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种藕片滋补养性金针菇软糖及其制备方法
- 下一篇：一种黄皮蜜饯的生产方法
