[发明专利]一种等离子体背场增强轨道在审

专利信息
申请号: 201410028250.6 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103731967A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 王厚生;陈顺中;李献;李兰凯;庞占忠;戴银明;王秋良 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H05H1/10 分类号: H05H1/10
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 增强 轨道
【权利要求书】:

1.一种等离子体背场增强轨道,其特征在于,所述的等离子体背场增强轨道包括主轨道和梯度外轨;所述的主轨道为水平布置的两根平行的金属轨道;所述的梯度外轨由对称地成对布置于主轨道上下两侧的单边梯度外轨组成;所述的梯度外轨的梯度沿前进方向为负值,背场增强轨道产生沿前进方向的磁场梯度。

2.根据权利要求1所述的等离子体背场增强轨道,其特征在于,所述的梯度轨道有以下几种结构模式:

1)渐开型:梯度外轨与主轨道不平行,在等离子前进方向上梯度外轨与主轨道之间的距离越来越大,距离的变化量为线性,即梯度外轨相对于轨道倾斜,每条单边梯度外轨是直线;

2)渐开型的变形:沿等离子前进方向,梯度外轨与主轨道间距离越来越大,距离变化量非线性,即梯度外轨相对于主轨道倾斜,每条单边梯度外轨向外弯曲;

3)收缩型:每条单边梯度外轨的两根金属轨道间不平行,在等离子体前进方向上越收越窄;

4)多层递减型:由多层多对梯度外轨组成,每层梯度外轨均与主轨道平行,每层梯度外轨的单边梯度外轨的长度沿等离子体前进方向递减,每层梯度外轨与主轨道的距离沿等离子体前进方向递减,梯度外轨的层数由沿等离子体前进方向递减;

5)复合型:所述1)至4)几种梯度外轨复合使用。

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