[发明专利]单层二硫化钼薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，可以包括以下步骤提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使三氧化钼粉末与硫蒸气反应生成气态的MoO3‑x并沉积到衬底上，其中0＜x≤1；将反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使硫蒸气与MoO3‑x反应，在衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，第一预设温度小于第二预设温度。本发明能够通过两步反应法能够获得大面积、层数可控的单层二硫化钼薄膜。

主权项

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将所述硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将所述反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使所述三氧化钼粉末与所述硫蒸气反应生成气态的MoO3‑x并沉积到所述衬底上，其中0＜x≤1；将所述反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使所述硫蒸气与所述MoO3‑x反应，在所述衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度，所述硫粉所在位置与所述三氧化钼粉末所在位置的距离为5‑30cm。