[发明专利]单层二硫化钼薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供硫粉并加热转变为硫蒸气；

利用载气将所述硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；

将所述反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使所述三氧化钼粉末与所述硫蒸气反应生成气态的MoO_3-x并沉积到所述衬底上，其中0＜x≤1；

将所述反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使所述硫蒸气与所述MoO_3-x反应，在所述衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，

其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度。

2.根据权利要求1所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为100-600℃。

3.根据权利要求1或2所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二预设温度为650-900℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间为10-30min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二预设时间为5-60min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述载气为高纯氮气、高纯惰性气体或掺杂氢气的惰性气体。

7.根据权利要求1-6任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述载气的流速为1-200sccm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫粉所在位置与所述三氧化钼粉末所在位置的距离为5-30cm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅、蓝宝石、云母或石英。