[发明专利]复合分离膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410026589.2 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103752183A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 李继定;夏阳;房满权;李祥;陈金勋 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B01D69/12 分类号: B01D69/12;B01D67/00;B01D69/10;B01D71/70;B01D71/34;B01D71/42;B01D71/68
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 哈达
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种复合分离膜,所述复合分离膜包括至少两层分离膜单元,每层分离膜单元包括一底膜及一聚二甲基硅氧烷膜,所述聚二甲基硅氧烷膜与所述底膜层叠设置。本发明进一步提供一种复合分离膜的制备方法。所述复合分离膜的制备方法,工艺简便,适于大规模工业生产,并可以广泛的适用于反渗透、渗透汽化和气体分离过程,在膜分离领域有广阔的应用前景。
搜索关键词: 复合 分离 及其 制备 方法
【主权项】:
一种复合分离膜的制备方法,其包括以下步骤:S1:提供一多孔支撑体;S2:将一底膜材料加入至一第一有机溶剂中,在所述多孔支撑体上制备一底膜;S3:将聚二甲基硅氧烷加入至一第二有机溶剂中,配置成一溶液,向该溶液中加入交联剂和催化剂,制备聚二甲基硅氧烷铸膜液;S4:调节聚二甲基硅氧烷铸膜液的粘度至50‑500mPa.s,并使用该聚二甲基硅氧烷铸膜液在底膜表面形成一聚二甲基硅氧烷膜,从而形成一层分离膜单元,该分离膜单元由一层底膜和一层聚二甲基硅氧烷膜组成;S5:对所述分离膜单元中的聚二甲基硅氧烷膜表面进行等离子体改性;以及S6:至少一次重复步骤S2至S5,以制备好的分离膜单元作为支撑体,在等离子体改性后的聚二甲基硅氧烷膜表面制备至少另一个分离膜单元。
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