[发明专利]复合分离膜及其制备方法有效
申请号: | 201410026589.2 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN103752183A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 李继定;夏阳;房满权;李祥;陈金勋 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B01D69/12 | 分类号: | B01D69/12;B01D67/00;B01D69/10;B01D71/70;B01D71/34;B01D71/42;B01D71/68 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 哈达 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 分离 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合分离膜的制备方法,其包括以下步骤:
S1:提供一多孔支撑体;
S2:将一底膜材料加入至一第一有机溶剂中,在所述多孔支撑体上制备一底膜;
S3:将聚二甲基硅氧烷加入至一第二有机溶剂中,配置成一溶液,向该溶液中加入交联剂和催化剂,制备聚二甲基硅氧烷铸膜液;
S4:调节聚二甲基硅氧烷铸膜液的粘度至50-500mPa.s,并使用该聚二甲基硅氧烷铸膜液在底膜表面形成一聚二甲基硅氧烷膜,从而形成一层分离膜单元,该分离膜单元由一层底膜和一层聚二甲基硅氧烷膜组成;
S5:对所述分离膜单元中的聚二甲基硅氧烷膜表面进行等离子体改性;以及
S6:至少一次重复步骤S2至S5,以制备好的分离膜单元作为支撑体,在等离子体改性后的聚二甲基硅氧烷膜表面制备至少另一个分离膜单元。
2.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S2包括以下子步骤:将底膜材料和第一溶剂以1: 5- 1: 10的质量比配成溶液;对所述溶液静置一段时间,使所述溶液充分脱泡;将脱泡后的溶液倒在支撑体上,在支撑体表面形成一薄层结构;以及,然后将承载有薄层结构的支撑体浸入水中,分相转化形成水润湿的底膜。
3.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述底膜材料为底膜材料为聚砜,聚醚砜,聚丙烯腈,或者聚偏氟乙烯。
4.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述第一有机溶剂为二甲基亚砜、四氢呋喃、丁酮、碳酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丁酯、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。
5.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述聚二甲基硅氧烷与第二溶剂的质量比为1:10至1:20。
6.如权利要求5所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述第二有机溶剂为二甲基亚砜、四氢呋喃、丁酮、碳酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丁酯、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。
7.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述催化剂为二月桂酸二辛基锡、二甲基锡二马来酸酯或二甲基硫醇锡中的任意一种。
8.如权利要求1所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,对聚二甲基硅氧烷膜表面改性的方法为:将步骤S4中得到的分离膜单元通入一气体对聚二甲基硅氧烷膜表面进行等离子改性,等离子改性的射频功率50- 1000瓦,改性时间1- 5分钟。
9.如权利要求8所述的复合分离膜的制备方法,其特征在于,所述气体为氧气、氢气、氩气、四氟化碳中的任意一种。
10.一种复合分离膜,特征在于包括至少两层分离膜单元,每层分离膜单元包括一底膜及一聚二甲基硅氧烷膜,所述聚二甲基硅氧烷膜与所述聚二甲基硅氧烷层层叠设置。
11.如权利要求10所述的复合分离膜,其特征在于,所述底膜的厚度为1- 20微米,所述聚二甲基硅氧烷膜的厚度为0.5- 10微米。
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