[发明专利]柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法有效
| 申请号： | 201410026555.3 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103754819A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李勇;周凯;佟浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一柔性衬底；在所述柔性衬底上制备图案化电极，所述图案化电极包括多个相互交错排列的电解阳极和电解阴极；在所述柔性衬底和所述图案化电极上用光刻胶制备微凸柱阵列；将第一预聚物填充到所述微凸柱阵列的凸柱间隙中，待所述第一预聚物填充完毕后，固化所述第一预聚物，所述第一预聚物聚合成第一聚合物，得到柔性表层；利用刻蚀工艺去除所述微凸柱阵列，使所述凸柱底部的图案化电极暴露出来，同时形成微凹坑阵列；将所述基底剥离，得到所述柔性MEMS减阻蒙皮。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 mems 蒙皮 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一柔性衬底；在所述柔性衬底上制备图案化电极，所述图案化电极包括多个相互交错排列的电解阳极和电解阴极；在所述柔性衬底和所述图案化电极上用光刻胶制备微凸柱阵列；将第一预聚物填充到所述微凸柱阵列的凸柱间隙中，待所述第一预聚物填充完毕后，固化所述第一预聚物，所述第一预聚物聚合成第一聚合物，得到柔性表层；利用刻蚀工艺去除所述微凸柱阵列，使所述凸柱底部的图案化电极暴露出来，同时形成微凹坑阵列；将所述基底剥离，得到所述柔性MEMS减阻蒙皮。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410026555.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种流化床出口不合格梗丝水分自动剔出装置及方法
- 下一篇：一种蜜饯去核机构
