[发明专利]柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法

权利要求书

1.一种柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成一柔性衬底；

在所述柔性衬底上制备图案化电极，所述图案化电极包括多个相互交错排列的电解阳极和电解阴极；

在所述柔性衬底和所述图案化电极上用光刻胶制备微凸柱阵列；

将第一预聚物填充到所述微凸柱阵列的凸柱间隙中，待所述第一预聚物填充完毕后，固化所述第一预聚物，所述第一预聚物聚合成第一聚合物，得到柔性表层；

利用刻蚀工艺去除所述微凸柱阵列，使所述凸柱底部的图案化电极暴露出来，同时形成微凹坑阵列；

将所述基底剥离，得到所述柔性MEMS减阻蒙皮。

2.如权利要求1所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，将所述第一预聚物填充到所述微凸柱阵列的凸柱间隙中时，可从所述微凸柱阵列的边缘加入所述第一预聚物，使所述第一预聚物在毛细作用力驱动的作用下沿着各凸柱之间的间隙延伸铺展。

3.如权利要求2所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，从所述微凸柱阵列的边缘加入所述第一预聚物时，从远离所述微凸柱阵列最外侧的边一定距离的地方加入所述第一预聚物。

4.如权利要求3所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，所述第一预聚物加入的地方与所述微凸柱阵列最外侧的边的垂直距离为相邻所述凸柱间隙的5倍至20倍。

5.如权利要求1所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，所述第一预聚物的加入速度为0.1 ml/min至5ml/min。

6.如权利要求1所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，所述第一预聚物的加入温度为-15℃至45℃。

7.如权利要求1所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，制备所述微凸柱阵列时，在所述微凸柱阵列的四个角处预留出20×20到50×50个阵列的面积作为所述第一预聚物的加入空间。

8.如权利要求1所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，在所述柔性衬底上制备所述图案化电极前，可进一步包括一在所述柔性衬底上制备一过渡层的步骤，再在所述过渡层上制备所述图案化电极。

9.如权利要求8所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，在所述过渡层上制备所述图案化电极后，可进一步包括一去除未被所述图案化电极覆盖的所述过渡层的步骤，使所述柔性表层直接形成于所述柔性衬底上。

10.如权利要求9所述的柔性MEMS减阻蒙皮的制备方法，其特征在于，所述柔性表层和所述柔性衬底的材料相同。