[发明专利]高选择性梳状CdS纳米材料的合成方法有效
| 申请号： | 201410026449.5 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103754927A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 祁小四;刘洪超;邓朝勇 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高选择性梳状CdS纳米材料的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：(1)Si片上沉积Au膜；(2)CdS粉末放置在陶瓷舟里，并整体推入石英管内，后将镀有Au膜的Si片放置在陶瓷舟左侧；(3)密封石英管，抽气，从陶瓷舟的右侧引入氩气，管内压强保持在0.1MPa，将反应温度升至800℃，并在氩气的保护下恒温2h，待反应温度降到室温后，即得。研究结果表明该方法具有非常高的可重复性、且操作简单环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 cds 纳米 材料 合成 方法 | ||
【主权项】：
高选择性梳状CdS纳米材料的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：(1)Si片上沉积Au膜；(2) CdS粉末放置在陶瓷舟里，并整体推入石英管内，后将镀有Au膜的Si片放置在陶瓷舟左侧；(3) 密封石英管，抽气，从陶瓷舟的右侧引入氩气，管内压强保持在0.1 MPa，将反应温度升至800 ℃，并在氩气的保护下恒温2 h，待反应温度降到室温后，即得。
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