[发明专利]一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法。所述SCR结构包括P型衬底，P型衬底上设有N阱和P阱，所述P阱上设有条形第一N+注入区，第一N+注入区的周边设有环状的第一P+注入区，第一N+注入区与第一P+注入区之间设有第三场氧隔离区，所述N阱上设有并列的第二N+注入区、第二P+注入区，第二N+注入区与P型衬底之间设有第一场氧隔离区，第二P+注入区与第一P+注入区之间设有第二场氧隔离区，第一P+注入区与P型衬底之间设有第四场氧隔离区。本发明采用环形的阴极（阳极）保护环，可以大大提高SCR结构的维持电压，使芯片远离闩锁风险。并且制作工艺简单、操作方便。

主权项

一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(101)，P型衬底上设有N阱(102)和P阱(103)，所述P阱(103)上设有条形第一N+注入区(104)，第一N+注入区(104)的周边设有环状的第一P+注入区(105)，第一N+注入区(104)与第一P+注入区(105)之间设有第三场氧隔离区(203)，所述N阱(102)上设有并列的第二N+注入区(106)、第二P+注入区(107)，第二N+注入区(106)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(201)，第二P+注入区(107)与第一P+注入区(105)之间设有第二场氧隔离区(202)，第一P+注入区(105)之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(204)。