[发明专利]一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法无效

申请号：	201410017808.0	申请日：	2014-01-16
公开（公告）号：	CN103730461A	公开（公告）日：	2014-04-16
发明（设计）人：	金湘亮;周阿铖;汪洋	申请（专利权）人：	湘潭大学
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L29/06;H01L21/822
代理公司：	湘潭市汇智专利事务所 43108	代理人：	颜昌伟
地址：	411105***	国省代码：	湖南;43
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摘要：
搜索关键词：	一种具有维持电压 scr 结构及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(101)，P型衬底上设有N阱(102)和P阱(103)，所述P阱(103)上设有条形第一N+注入区(104)，第一N+注入区(104)的周边设有环状的第一P+注入区(105)，第一N+注入区(104)与第一P+注入区(105)之间设有第三场氧隔离区(203)，所述N阱(102)上设有并列的第二N+注入区(106)、第二P+注入区(107)，第二N+注入区(106)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(201)，第二P+注入区(107)与第一P+注入区(105)之间设有第二场氧隔离区(202)，第一P+注入区(105)之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(204)。

2.一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(111)，P型衬底上设有N阱(112)和P阱(113)，所述N阱(112)上设有条形第一P+注入区(114)，第一P+注入区(114)的周边设有环状的第一N+注入区(115)，第一P+注入区(114)与第一N+注入区(115)之间设有第三场氧隔离区(212)，所述P阱(113)上设有并列的第二P+注入区(116)、第二N+注入区(117)，第一N+注入区(115)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(211)，第二N+注入区(117)与第一N+注入区(115)之间设有第二场氧隔离区(213)，第二P+注入区(116)与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(214)。

3.一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在P阱内形成环状的第一P+注入区，第一P+注入区环形内部形成条状的第一N+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在N阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在N阱和P阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；

从N阱中第二N+注入区、第二P+注入区引出电极作为阴极；

从P阱中第一P+注入区、第一N+注入区引出电极作为阳极。

4.一种具有高维持电压的SCR结构的制作方法，包括以下步骤：

在P衬底上注入形成相邻的N阱和P阱；

在N阱内形成环状的第一N+注入区，第一N+注入区环形内部形成条状的第一P+注入区，第一P+注入区与第一N+注入区之间形成场氧隔离层；

在P阱内形成相邻的第二N+注入区、第二P+注入区；

在P阱和N阱之中未进行注入的区域形成场氧隔离层；