[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410016472.6 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779148B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作半导体器件的方法，根据本发明提出了一种新的后高K/后金属栅极工艺，本发明的方法在PMOS和NMOS区域中形成金属栅极以减小等效氧化层厚度，采用一步或者多步氮处理工艺以在硅半导体衬底的表面掺杂氮，当在氮掺杂的硅衬底上生长化学氧化物层作为界面层时，最终形成的界面层具有高K值，例如界面层的材料为SiON，以减小反型层厚度和避免栅极泄露衰减露同时，本发明的制作方法适用于平面场效应晶体管半导体技术和FinFET半导体技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：步骤a:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极包括依次堆叠的虚拟栅极氧化层和虚拟栅极材料层，所述虚拟栅极两侧形成有源极和漏极；步骤b:去除部分的所述虚拟栅极材料层；步骤c:去除剩余的所述虚拟栅极材料层，以露出所述虚拟栅极氧化层；步骤d:去除所述虚拟栅极氧化层，以形成金属栅极沟槽；其中，在步骤a之后步骤b之前、在步骤b之后步骤c之前、在步骤c之后步骤d之前和/或步骤d之后至少进行一氮处理步骤，以使所述半导体衬底的表面掺杂氮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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