[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410016472.6 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779148B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
步骤a:提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极包括依次堆叠的虚拟栅极氧化层和虚拟栅极材料层，所述虚拟栅极两侧形成有源极和漏极；
步骤b:去除部分的所述虚拟栅极材料层；
步骤c:去除剩余的所述虚拟栅极材料层，以露出所述虚拟栅极氧化层；
步骤d:去除所述虚拟栅极氧化层，以形成金属栅极沟槽；
其中，在步骤a之后步骤b之前、在步骤b之后步骤c之前、在步骤c之后步骤d之前和/或步骤d之后至少进行一氮处理步骤，以使所述半导体衬底的表面掺杂氮。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述金属栅极沟槽之后在所述金属栅极沟槽的底部形成界面层的步骤，所述界面层的材料为化学氧化物。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述界面层之后在所述金属栅极沟槽中填充功函数金属层和金属栅极层以形成金属栅极的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子体处理工艺执行所述氮处理步骤，所述等离子体处理工艺的气体包括氮气和氩气。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氮离子注入工艺执行所述氮处理步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用去耦等离子氮化物工艺执行所述氮处理步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀或者干-湿混合刻蚀去除所述虚拟栅极材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀或者干-湿混合刻蚀去除所述虚拟栅极氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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