[发明专利]一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法有效
| 申请号： | 201410010564.3 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779196B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张建湘;王焜;潘光燃;文燕 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，以解决现有技术中对旋转涂布玻璃层进行回刻，造成金属层间介质层的表面平坦化效果较差，影响集成电路可靠性的问题。本发明实施例提供了一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法，由于对两层SOG层分别进行离子固化处理，避免了两层SOG层厚度固化不完全，导致集成电路出现断层的问题，并且本发明实施例中不需要对第二层SOG层进行回刻处理，也就避免了由于刻蚀速度不同导致的金属层间介质层的表面平坦化程度恶化的问题，提高了金属层间介质层表面的平坦化效果，也增强了集成电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层间介质层 集成电路 平坦化 表面平坦化 回刻 两层 半导体制造领域 旋转涂布玻璃 影响集成电路 离子固化 刻蚀 固化 断层 恶化 | ||
【主权项】：
一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法，其特征在于，该方法包括：在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层；在所述第一层二氧化硅层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层，并对含有第一SOG层的集成电路半成品进行热处理；对所述第一SOG层进行离子注入处理，形成第一固化SOG层；在所述第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对含有第二SOG层的集成电路半成品进行热处理；对所述第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；在所述第二固化SOG层表面沉积第二层二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410010564.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
