[发明专利]一种集成电路及其金属层间介质层平坦化的方法有效
| 申请号： | 201410010564.3 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779196B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张建湘;王焜;潘光燃;文燕 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层间介质层 集成电路 平坦化 表面平坦化 回刻 两层 半导体制造领域 旋转涂布玻璃 影响集成电路 离子固化 刻蚀 固化 断层 恶化 | ||
1.一种集成电路的金属层间介质层平坦化的方法，其特征在于，该方法包括：
在含有金属连线的晶圆表面沉积第一层二氧化硅层；
在所述第一层二氧化硅层表面涂覆第一旋转涂布玻璃SOG层，并对含有第一SOG层的集成电路半成品进行热处理；
对所述第一SOG层进行离子注入处理，形成第一固化SOG层；
在所述第一固化SOG层表面涂覆第二SOG层，并对含有第二SOG层的集成电路半成品进行热处理；
对所述第二SOG层进行离子注入处理，形成第二固化SOG层；
在所述第二固化SOG层表面沉积第二层二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对SOG层进行热处理之后，进行离子注入处理之前，还包括：
对热处理后的集成电路半成品进行冷却处理，将所述集成电路半成品冷却至室温。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冷却处理包括：
空冷和/或采用冷却设备进行冷却。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入处理，具体包括：
通过离子注入设备将氩气或砷注入SOG层，使SOG层固化；其中离子注入能量为70千电子伏～200千电子伏。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度范围为350℃～450℃，热处理时间范围为30min～90min。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一SOG层与所述二SOG层的旋转涂布玻璃的厚度范围均为
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层二氧化硅层的厚度为
8.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路含有权利要求1～7任一所述的方法获得的金属层间介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
